Материальная база

Списки объектов по подразделениям

Все | НОЦ ГДИ | ОНИЛ-1 | НТЦ КМ | НИИ-219 | ИПИТ-216 | НИИ-202 | НИЛ-41 | НИЛ-97 | НИИ-201 | НИЛ-57 | НИЛ-98 | НОЦ НТ-94 | НИИ-204 | ОНИЛ-5 | Лаборатория аддитивных технологий | НИЛ-37 | ОНИЛ-4 | НИЛ-35 | НИЛ-39 | НИЛ-43 | НИЛ-53 | НИЛ-55 | Лаборатория коррозии, старения и биоповреждения материалов и сложных технических систем | Лаборатория быстрого прототипирования | МНИЦ-301 | ИКП-214 | НОЦ-218 | НГ КАФ-306 | НГ КАФ-307 | НОЦ ФНОС | ЦКП "Межвузовский медиацентр города Самара" | | | | ЦКП "Научно-образовательный центр лазерных систем и технологий" | ЦКП "Учебно-научный производственный центр "Вибрационная прочность и надежность аэрокосмических изделий"

НИЛ-35

  • Станция лазерной записи «CLWS-200S»

    Станция лазерной записи «CLWS-200S»

    Производитель: Институт автоматики и электрометрии СО РАН(Россия)

    Место расположение: Корпус 1, ауд. 122

    Назначение:
    Изготовление дифракционных элементов

    Основные технические характеристики:
    минимальный размер дифракционной структуры 0,6 мкм;
    максимальный размер изготавливаемого ДОЭ 210 мм;
    максимальное количество ступенек рельефа 256 (фоторезист);
    точность выполнения структуры 0,1 мкм;
    Технологии записи: Термохимическая – хром, фоторезист.

  • Растровый электронный микроскоп «Supra-25»

    Растровый электронный микроскоп «Supra-25»

    Производитель: Carl Zeiss, (Германия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №4/22

    Назначение:
    Предназначен для проведения измерений линейных размеров топологических элементов, толщин и глубин залегания технологических слоев больших и сверхбольших интегральных схем и параметров микрорельефа поверхности различных объектов в твердой фазе методом растровой электронной микроскопии.

    Основные технические характеристики:
    Встроенные детекторы: 1.детектор вторичных электронов; - детектор отраженных электронов; - детектор рентгеновского излучения.
    2 Разрешающая способность микроскопа: - во вторичных электронах не более 1,5нм. - в отраженных электронах не более,
    3 Диапазон измерения линейных размеров, 6нм;
    4 Пределы допускаемой основной погрешности измерения линейных размеров: - в диапазоне от 0,05 мкм до 0,2 мкм не более, нм10; - в диапазоне от 0,2 мкм 0,8 мкм не более 40 нм; - в диапазоне от 0,8 мкм до 5000 мкм не более 4%;
    5 Диапазон регулировки ускоряющего напряжения 0,5-30 кВ;
    6 Относительная нестабильность ускоряющего напряжения за 10 мин не более, 1*10-3 %;
    7 Давление в электронной пушке не более, ат: 10-12;
    8 Давление в рабочей камере не более, ат 10-9;
    9 Напряжение питания переменного тока микроскопа 208+240В;
    10 Потребляемая мощность микроскопа не более, 3,3 кВА;
    11 Полный средний срок службы микроскопа не менее, 10 лет;
    12 Габаритные размеры, не более 1910x985x1600 мм;
    13 Масса не более 820 кг;
    14 Условия эксплуатации: температура 22±2°С; относительная влажность, не более 60%.

  • Установка плазменного травления – «Каролина 15»

    Установка плазменного травления – «Каролина 15»

    Производитель: АО «Эсто-Вакум» (Рос-сия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №4/22

    Назначение:
    Ионно-плазменное травление ИПТ: При ионно-плазменном травлении удаление поверхностных слоев материалов осуществляется за счет физического распыления ионами инертных газов или других ионов, химически не реагирующих с обрабатываемым материалом. При этом он находится в контакте с зоной плазмы, а необходимая энергия ионов обеспечивается подачей на материал отрицательного смещения. Для ионной очистки поверхности материалов (удаления адсорбированных частиц) обычно используют ионы с энергией в диапазоне от 20 до 100 эВ, а для ионного травления (удаления слоев основного материала) - от 100 до 1000 эВ. В первом диапазоне распыление осуществляется в режиме первичного прямого выбивания, а во втором - как в режиме первичного выбивания, так и в режиме линейных каскадов.

    Основные технические характеристики:
    Для ионной очистки 20-100 эВ; Для ионного травления 100-1000 эВ

  • Автоматическая установка магнетронного и термического нанесения «Каролина D12А»

    Автоматическая установка магнетронного и термического нанесения «Каролина D12А»

    Производитель: АО «Эсто-Вакум»(Рос-сия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №4/22

    Назначение:
    Вакуумная напылительная установка Caroline D12A предназначена для мелко-и среднесерийного производства и проведения исследовательских работ в области осаждения тонких пленок методом магнетронного и термического распыления.

    Основные технические характеристики:
    Количество подложек, обрабатываемых за 1 цикл (шт ) 12шт. 100 мм, 24 шт. 60x48; Стартовое давление в рабочей камере 10-3Па; Расход подаваемых в камеру рабочих газов по одному каналу 0,9л/час; Количество подаваемых (неагрессивных) газов до 3 шт.; Количество подаваемых (неагрессивных) газов до 1 шт.

  • Сканирующая зондовая нанолаборатория «Ntegra Spectra»

    Сканирующая зондовая нанолаборатория «Ntegra Spectra»

    Производитель: МТ-МДТ, (Россия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №4/22

    Назначение:
    «Интегра Спектра» позволяет исследовать оптические свойства образца за пределом дифракции с использованием методов АСМ, сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ) и КР-спектроскопии.

    Основные технические характеристики:
    Модуль АСМ: Диапазон сканирования по осям XY 120 мкм; Диапазон сканирования по оси Z 9 мкм; Макс. количество точек изображения 1024х1024; Уровень шумов, XY < 0,7 нм; Уровень шумов, Z < 0,5 нм; Условия измерений – воздух. Конфокальная оптическая микроскопия/КР-спектроскопия: Разрешение по осям XY <400 нм; Разрешение по оси Z  <500 нм; Числовая апертура  0,7; 0,95; Источник лазерного излучения 480 нм; Система детектирования ПЗС камера Andor iDus DV 401-BV. Сканирующая ближнепольная микроскопия: Режим регистрирования - отражение; Разрешение, XY <100 нм; Выходная апертура < 100 нм; Покрытие острия - Va-Al.

  • Система малоуглового рассеяния ренгеновского излучения S3-micro (ренгеновский дифрактометр)

    Система малоуглового рассеяния ренгеновского излучения S3-micro (ренгеновский дифрактометр)

    Производитель: (Австрия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №100

    Назначение:
    Рентгеноструктурный анализ (РСА) относится к методам, используемым для исследования структуры веществ и материалов по распределению в пространстве и интенсивностям рассеянного анализируемым образцом рентгеновского излучения

    Основные технические характеристики:
    Камера рассеяния герметична и соединена посредством вакуумных безоконных фланцев с блоком фильтров и прецизионной коллимационной системой. Ширина входных щелей регулируется с шагом 50 мкм, что позволяет подобрать оптимальное соотношение между разрешением и интенсивностью. Достижимый диапазон векторов рассеяния h, регистрируемых системой, составляет 0.005 0.65. Для твердотельных образцов предусмотрен специальный держатель. Расстояние образец-детектор составляет 275 мм

  • Прецизионная система Шлифовки НМ-500

    Прецизионная система Шлифовки НМ-500

    Производитель: Ekspla

    Место расположение: Корпус 1, комната №133

    Назначение:
    Изготовление дифракционных элементов

    Основные технические характеристики:
    Максимальный диаметр крепления 480мм;
    Рабочее давление 0-6бар;
    Максимальное число оборотов 10-50об/мин;
    Привод - Двигатель переменного тока мощностью 1,1кВт.

  • Спектрально-перестраиваемый фемто-пикосекундный волоконный лазер Иттербиус-1100, укомплектованный волоконным усилителем

    Спектрально-перестраиваемый фемто-пикосекундный волоконный лазер Иттербиус-1100, укомплектованный волоконным усилителем

    Производитель: (Россия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №130

    Назначение:
    волоконный лазер оригинальной конструкции с возможностью оперативной перестройки длины волны излучения фемто-пикосекундных импульсов в диапазоне 1060-1115 нм

    Основные технические характеристики:
    Лазер Иттербиус-1100 отличается уникальными комбинированными фемто-пикосекундными импульсами, центральную длину волны излучения которых можно плавно перестраивать в спектральной области шириной 55 нм от 1060 нм до 1115 нм, мощность излучения до 2Вт; измеритель длительности ультра-коротких импульсов излучения в диапазоне 10 фс – 30 пс.

  • Анализатор спектра телекоммуникационного диапазона Anritsu MS 9740A

    Анализатор спектра телекоммуникационного диапазона Anritsu MS 9740A

    Производитель:

    Место расположение: Корпус 1, комната №130

    Назначение:
    Позволяет анализировать спектр диапазона с 9 кГц до 6 ГГц

    Основные технические характеристики:
    Диапазон частот анализатора спектра 9 кГц - 6 ГГц;
    Разрешение установки частоты 1 Гц ;
    Полоса пропускания 1 Гц - 10 МГц (шаг 1-3), 5 кГц, 50 кГц, 5 МГц, 10 МГц, 20 МГц, 31,25 МГц ;
    Стабильность опорного генератора 1х10-7/год (1х10-10/мес опция MS2690A-001) ;
    Полоса анализа сигналов 1 кГц - 25 МГц (шаг 1-2,5-5); 31,25 МГц; ; с опцией MS2690A-077 50 МГц, 62,5 МГц; с опциями MS2690A-077 и MS2690A-078 100 МГц и 125 МГц;
    Средний уровень собств. шумов -152,5 дБм/Гц на частоте 2 ГГц (-163,5 дБм/Гц опция MS2690A-068);
    Фазовый шум при отстройке 1 МГц, на частоте 2 ГГц -137 дБн/Гц;
    Аттенюатор 0-60 дБ/ шаг 2 дБ;
    Время развёртки 1 мкс - 1000 с (полоса обзора 0 Гц);
    Демодулятор с поддержкой стандартов: Mobile WiMAX, W-CDMA/HSPA, W-CDMA BS, GSM/EDGE, EDGE Evolution, TD-SCDMA, LTE, LTE TDD, LTE-Advanced FDD, CDMA2000, EV-DO, WLAN, Bluetooth (опции);
    Измерения коэффициента шума (опция MS2690A-017) c помощью генератора шума;
    Вес 13,5 кг

  • Перестраваемая лазерная система NT-242

    Перестраваемая лазерная система NT-242

    Производитель: Россия, (Ново-сибирск)

    Место расположение: Корпус 1, комната №129

    Назначение:
    Перестраиваемая лазерная система NT242, объединяющая в едином корпусе лазер с диодной накачкой и модулятором добротности с генератором ПГС, обеспечивает автоматическую мгновенную перестройку длины волны в диапазоне от 193 до 2600 нм. Обладая частотой следования импульсов 1000 Гц, лазер серии NT240 представляет собой универсальный инструмент, пригодный для использования в самых разных лабораторных целях.

    Основные технические характеристики:
    Лазер накачки DPSS и ПГС объединены в едином корпусе;
    Автоматическая мгновенная перестройка длины волны в диапазоне от 193 до 2600 нм;
    Беспрецедентная частота следования импульсов в 1000 Гц;
    Энергия выходного импульса свыше 40 мкДж в УФ диапазоне;
    Ширина линии менее 5 см-1;
    Длительность импульса 3-6 нс;
    Клавишная панель дистанционного управления;
    Управление с ПК через интерфейс RS232 в том числе с использованием драйверов LabView;
    Отдельный вывод для луча накачки ПГС (355 нм);

  • Установка магнетронного Распыления «Оратория-5»Установка магнетронного Распыления «Оратория-5»

    Установка магнетронного Распыления «Оратория-5»

    Производитель: Россия (Калинен-град)

    Место расположение: Корпус 1, комната №122

    Назначение:
    Устройство магнетронного распыления предназначено для получения многослойных металлических, резистивных и диэлектрических тонких пленок из пяти материалов в одном цикле откачки. Установка магнетронного распыления «О1НИ-7-006» (Оратория-5) предназначен для нанесения пленок легированного кремнием, на кремневые пластины 76, 100мм. Производительность агрегата не менее 150 шт./ч при диаметре пластин 76 мм.

    Основные технические характеристики:
    Кремневые пластины диаметром 100мм;
    Производительность агрегата не менее 150 шт/ч при диаметре 76мм.

  • Установка ионового травления «Интра»

    Установка ионового травления «Интра»

    Производитель: Россия, (Калинен-град)

    Место расположение: Корпус 1, комната №122

    Назначение:
    Изготовление дифракционных элементов

    Основные технические характеристики:
    Масса установки 2200кг;
    Максимальная электрическая мощность потребляемой установкой не более 12 кВа;
    Производительность работы не менее 20шт/ч .

  • Станция лазерной записи «CLWS-2014»

    Станция лазерной записи «CLWS-2014»

    Производитель: Институт автоматики и электрометрии СО РАН(Россия)

    Место расположение: Корпус 1, комната №125

    Назначение:
    Даная станция позволяет синтезировать топологию элементов в полярной и прямоугольной системах координат.

    Основные технические характеристики:
    В полярной системе координат на плоских поверхностях:
    - Разрешение по радиусу0,01мкм;
    -Разрешение по углу 0,25угл.с;
    -Погрешность по радиусу 0,1мкм;
    -Угловая погрешность 2угл.с;
    -Максимальный диаметр рабочего поля 285мм;
    -Фоточувствительный слой - Пленки фоторезиста.

  • Установка трехмерного наноконструирования 3D2S

    Установка трехмерного наноконструирования 3D2S

    Производитель: Германия, (Ганноверский лазерный центр)

    Место расположение: Корпус 1, комната №122

    Назначение:
    Принцип действия установки основан на двухфотонной полимеризации фотополимерного материала под воздействием излучения фемтосекундного лазера ИК-диапазона. Разрешение структурирования с помощью этой установки зависит от топологии реализуемого объекта, но не хуже 500 нм. Предельное разрешение 200нм.

    Основные технические характеристики:
    Длина волны лазера 780нм;
    Размер рабочей области до 10х10мм;
    Рабочий материал - негативный фоторезист;
    Формат файлов для вывода STL;
    Точность перемещения подложки 5нм.