2020 Candidate degree in physical and mathematical science
Education
2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Современные механизмы привлечения ресурсов для научной деятельности
2022 Повышение квалификации: Самарский университет, по программе: «Навыки оказания первой помощи»
2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Форсайт профессионального успеха Преподавателя 4.0 (проектный образовательный интенсив)
2021 Повышение квалификации: Самарский университет, Электронная информационно-образовательная среда университета
2018 Повышение квалификации: Самарский университет, Электронная информационно-образовательная среда университета
2018 Повышение квалификации: Самарский университет, "Навыки оказания первой помощи"
2018 Повышение квалификации: Самарский университет, "Инклюзивное профессиональное образование"
2018 Повышение квалификации: АНО "Электронное образование для наноиндустрии", "Выявление квалификационных запросов производственных компаний"
2006 - 2011 Высшее: Самарский государственный университет, СамГУ;
2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Инклюзивное профессиональное образование
2022
1Poluektova N.A., Shishkina D.A., Bazanov A.N. etc. Investigation of electrical properties of photosensitive structures of reduced dimension based on silicon coated with rare earth fluorides // Physics of Wave Processes and Radio Systems 2022. — Vol. 25. Issue 4. № 4. — P. 67-73
1Latukhina N.V., Kobeleva Svetlana Petrovna, Rogozhina G.A. etc. Contact and contactless porous silicon parameter measurement techniques // Modern Electronic Materials 2018. — Vol. 4. № 4. — P. 143-150
2Latukhina N., Lizunkova D., Paranin V. etc. The influence of technological parameters on the optical properties of photosensitive structures based on porous silicon // Journal of Physics: Conference Series. — 2018. — Vol. 1096. Issue 1.
2017
1Kirsanov N.Y., Latukhina N.V., Lizunkova D.A. etc. Multilayer photosensitive structures based on porous silicon and rare-earth-element compounds: Study of spectral characteristics // Semiconductors 2017. — Vol. 51. Issue 3. — P. 353-356
Мы используем файлы cookies для улучшения работы сайта университета и большего удобства его использования.
Более подробную информацию об использовании файлов cookies можно найти здесь,
наше положение об обработке и защите персональных данных – здесь.
Продолжая пользоваться сайтом, вы подтверждаете, что были проинформированы об использовании файлов cookies сайтом университета и
ознакомлены с нашим положением об обработке и защите персональных данных. Вы можете отключить файлы cookies в настройках Вашего браузера.
