RU 
EN 
CN 
ES 
Rogozhina, Galina A.
- Department of Physics, associate professor
- senior researcher
- Phone: +7 (846) 334-54-55
- Email: rogojina.ga@ssau.ru
Academical degrees
- 2020 Candidate degree in physical and mathematical science
Education
- 2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Современные механизмы привлечения ресурсов для научной деятельности
- 2022 Повышение квалификации: Самарский университет, по программе: «Навыки оказания первой помощи»
- 2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Форсайт профессионального успеха Преподавателя 4.0 (проектный образовательный интенсив)
- 2021 Повышение квалификации: Самарский университет, Электронная информационно-образовательная среда университета
- 2018 Повышение квалификации: Самарский университет, Электронная информационно-образовательная среда университета
- 2018 Повышение квалификации: Самарский университет, "Навыки оказания первой помощи"
- 2018 Повышение квалификации: Самарский университет, "Инклюзивное профессиональное образование"
- 2018 Повышение квалификации: АНО "Электронное образование для наноиндустрии", "Выявление квалификационных запросов производственных компаний"
- 2006 - 2011 Высшее: Самарский государственный университет, СамГУ;
- 2022 Повышение квалификации: Самарский университет, Инклюзивное профессиональное образование
2020
- 1 Latukhina N. V. , Lizunkova D.A., Rogozhina G.A. etc. Multilayer structure based porous silicon for solar cells // AIP Conference Proceedings. — 2020. — Vol. 2276.
2018
- 1 Latukhina N.V., Kobeleva Svetlana Petrovna, Rogozhina G.A. etc. Contact and contactless porous silicon parameter measurement techniques // Modern Electronic Materials 2018. — Vol. 4. № 4. — P. 143-150
- 2 Latukhina N. V. , Lizunkova D., Paranin V. D. etc. The influence of technological parameters on the optical properties of photosensitive structures based on porous silicon // Journal of Physics: Conference Series. — 2018. — Vol. 1096. Issue 1.
2017
- 1 Kirsanov N.Y., Latukhina N. V. , Lizunkova D.A. etc. Multilayer photosensitive structures based on porous silicon and rare-earth-element compounds: Study of spectral characteristics // Semiconductors 2017. — Vol. 51. Issue 3. — P. 353-356
