Шалимова Маргарита Борисовна

Scopus/WoS

2019

• 1 Shalimova M.B., Sachuk N.V. Features of MIS Structures with Samarium Fluoride on Silicon and Germanium Substrates // Semiconductors 2019. — Vol. 53. Issue 2. — P. 229-233

2018

• 1 Shalimova M.B. Modulation of the Charge of Germanium MIS Structures with Fluorine-Containing Insulators // Semiconductors 2018. — Vol. 52. Issue 8. — P. 1068-1071

2015

• 1 Shalimova M.B., Sachuk N.V. Degradation of the electrical characteristics of MOS structures with erbium, gadolinium, and dysprosium oxides under the effect of an electric field // Semiconductors 2015. — Vol. 49. Issue 8. — P. 1045-1051

2012

• 1 Shalimova M.B., Khavdey E.N. Change the properties of silicon and germanium structures with films of oxide and fluoride rare earth elements during external impacts // Germanium: Properties, Production and Applications 2012. — P. 187-231

2007

• 1 Shalimova M.B., Beschasnaya E.G. Correction of the method of current-voltage characteristics for determination of density of surface states in the system of germanium-rare-earth element fluoride // Semiconductors 2007. — Vol. 41. Issue 8. — P. 900-903

2005

• 1 Shalimova M.B., Shcherbakova N.V. Interface characteristics and mechanisms of current transfer in metal-tunnel-thin rare earth fluoride-silicon structures // Technical Physics Letters 2005. — Vol. 31. Issue 1. — P. 58-60

1999

• 1 Rozhkov V.A., Shalimova M.B. Semiconductors structures, interfaces and surfaces: Photolectric effects in silicon switching structures utilizing rare-earth fluorides // Semiconductors 1999. — Vol. 33. Issue 7. — P. 731-735

1998

• 1 Rozhkov V.A., Shalimova M.B. Silicon switching structures with fluorides of rare-earth elements // Technical Physics Letters 1998. — Vol. 24. Issue 8. — P. 663-664
• 2 Rozhkov V.A., Shalimova M.B. Electrical characteristics of silicon-rare-earth fluoride layered switching structures // Semiconductors 1998. — Vol. 32. Issue 11. — P. 1201-1205

1994

• 1 Rozhkov V.A., Petrov A.I., Shalimova M.B. Lanthanum, samarium, and dysprosium fluoride antireflection coatings for silicon photoelectric devices // Russian Physics Journal 1994. — Vol. 37. Issue 4. — P. 312-314

1992

• 1 Anoshin Yu.A., Petrov A.I., Rozhkov V.A. etc. Antireflecting and passivation of silicon photovoltaic cells by means of the films of rare earth elements oxides // Geliotekhnika 1992. — Issue 5. — P. 13-16

Монографии

2005

• 1 Шалимова М.Б., Щербакова Н.В. Параметры границы раздела и механизмы протекания тока в структурах металл - туннельно тонкий фторид церия (неодима, диспрозия) - кремний 2005. 6с.

ВАК

2023

• 1 Шалимова М.Б., Белянина И.В. Изменение параметров МДП-структур с соединениями редкоземельных элементов в условиях повышенной влажности // Физика и техника полупроводников. — 2023. — Т. 57. № 2. — С. 95-101

2021

• 1 Сачук Н.В., Шалимова М.Б. Электрофизические свойства германиевых МДП-структур с фторидами редкоземельных элементов // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2021. — Т. 24. № 2. — С. 68-72

2020

• 1 Шалимова М.Б., Сачук Н.В. Анализ электрофизических характеристик бистабильных МДП-структур с фторидами самария и церия // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2020. — Т. 23. № 1. — С. 58-66

2019

• 1 Шалимова М.Б., Сачук Н.В. Особенности МДП-структур с фторидом самария на кремниевых и германиевых подложках // Физика и техника полупроводников. — 2019. — Т. 53. № 2. — С. 241-245

2018

• 1 Шалимова М.Б. Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками // Физика и техника полупроводников. — 2018. — Т. 52. № 8. — С. 939-943

2015

• 1 Шалимова М.Б., Сачук Н.В. Деградация электрофизических характеристик МОП структур с оксидами эрбия, гадолиния и диспрозия под действием электрического поля // Физика и техника полупроводников. — 2015. — Т. 49. № 8. — С. 1071-1077

2013

• 1 Шалимова М.Б., Афанасков В.С., Хавдей Е.Н. Механизмы деградации электрофизических характеристик МОП-структур с high-k диэлектриками // Вестник СамГУ. — 2013. — № № 3(104). — С. 107-119

2007

• 1 Шалимова М.Б., Бесчасная Е.Г. Коррекция метода вольт-амперных характеристик для определения плотности поверхностных состояний в системе германий - фторид редкоземельного элемента // Физика и техника полупроводников. — 2007. — № Т. 41, № 8. — С. 920-923

2006

• 1 Шалимова М.Б., Михайлова А.С., Шерстнева С.В. Параметры границы раздела фторсодержащих пленок с кремниевой (германиевой) подложкой // Вестник СамГУ. — 2006. — № № 3-3(43). — С. 179-184

2005

• 1 Шалимова М.Б., Щербакова Н.В. Параметры границы раздела и механизмы протекания тока в структурах металл - туннельно тонкий фторид церия (неодима, диспрозия) - кремний 2005. 6с.

2004

• 1 Рожков В.А., Петров А.И., Родионов М.А. и др. Antireflection and Passivzting Coatings on the Basis of Rare Earth Element Oxides for Silicon Devices // Вестник СамГУ. — 2004. — № № 4 (34). — С. 112-123

1999

• 1 Рожков В.А., Шалимова М.Б. Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. — 1999. — № Т. 33, № 7. — С. 795-800

1998

• 1 Рожков В.А., Шалимова М.Б. Переключающие кремниевые структуры с фторидами редкоземельных элементов // Письма в ЖТФ. — 1998. — Т. 24. № 16. — С. 91-95
• 2 Рожков В.А., Шалимова М.Б. Электрофизические свойства переключающих слоистых структур на основе пленочных фторидов редкоземельных элементов // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32. № 11. — С. 1349-1353

1994

• 1 Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов лантана, самария и диспрозия для кремниевых фотоэлектрических приборов // Известия ВУЗов. Физика. — 1994. — № 4. — С. 7-10
• 2 Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов иттрия, церия и тербия для кремниевых фотоэлектрических приборов // Письма в Журнал технической физики. — 1994. — Т. 20. № 12. — С. 43-47
• 3 Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов // Журнал технической физики. — 1994. — Т. 64. № 10. — С. 118-123

1993

• 1 Рожков В.А., Шалимова М.Б. Электрическое переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП-структурах с диэлектриком из фторида эрбия // Физика и техника полупроводников. — 1993. — Т. 27. № 3. — С. 438-445
• 2 Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния // Письма в Журнал технической физики. — 1993. — Т. 19. № 19. — С. 10-14

1992

• 1 Рожков В.А., Шалимова М.Б. Эффект электрического переключения проводимости с памятью в структуре Al-DyF3-Si // Письма в Журнал технической физики. — 1992. — Т. 18. № 5. — С. 74-77
• 2 Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. Просветляющие покрытия из оксидов редкоземельных элементов для кремниевых фотоэлектрических приборов // Письма в Журнал технической физики. — 1992. — Т. 18. № 10. — С. 54-58

Другие

2024

• 1 Сачук Н.В., Шалимова М.Б. Особенности высокочастотных вольт-емкостных характеристик МДП-структур с фторидом самария // XVI Международная конференция по физике диэлектриков “Диэлектрики-2024”. — 2024. — С. 12

2023

• 1 Shalimova Margarita Borisovna, Belyanina I. V. Changing the Parameters of MIS Structures with REE Compounds under Conditions of High Humidity // Semiconductors 2023. — Vol. 57. № 2. — P. 85-90

2021

• 1 Кропотов М.С., Краснов А.С., Шалимова М.Б. Вопросы надежности МДП-устройств с затворными оксидами РЗЭ // Международная молодежная научная конференция "XVI Королевские чтения", посвященная 60-летию полета в космос Ю.А. Гагарина. — 2021. — Т. 1. — С. 363-364

2018

• 1 Сачук Н.В., Кожевников А.С., Чаденков А.А. и др. Фторсодержащие материалы для затворного диэлектрика МДП-структур на подложках германия // Микроэлектроника и информатика-2018: 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. — 2018. — С. 38

2014

• 1 Шалимова М.Б. Взаимодействие полевых и инжекционных механизмов при генерации ловушек в МДП - структурах на основе соединений редкоземельных элементов // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2014). — 2014. — С. 201-204
• 2 Шалимова М.Б. Модификация механизмов проводимости при деградации МОП-структур с оксидом диспрозия // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2014). — 2014. — С. 204-207

2012

• 1 Shalimova M.B., Khavdey E.N. Change the Properties of Silicon and Germanium Structures with Films of Oxide and Fluoride Rare Earth Elements when External Impacts // Germanium: Properties, Production and Applications 2012. — P. 187-231

2011

• 1 Шалимова М.Б., Ефремов А.М. Вызванное адсорбцией влаги изменение параметров МОП-структур с оксидами редкоземельных элементов // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011). — 2011. — С. 393-395
• 2 Шалимова М.Б., Шеянова А.В. Модификация процесса электрической деградации МОП-структур с high-k диэлектриками в условиях повышенных температур // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2011). — 2011. — С. 396-398

2008

• 1 Шалимова М.Б., Будкевич О.Н. Изменение свойств МОП- структур с оксидами редкоземельных элементов под действием деформации // Физика диэлектриков (Диэлектрики-2008). — 2008. — С. 414-416

1992

• 1 Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А. и др. Просветление и пассивация кремниевых фотоэлектрических преобразователей пленками оксидов редкоземельных элементов // Гелиотехника. — 1992. — № 5. — С. 13-16