Чепурнов Виктор Иванович

Scopus/WoS

2025

• 1 Atabaev B.G., Chepurnov V.I., Arutyunov N.Y. etc. Rapid 3D Defect Mapping in SiC Betavoltaics via Positron Annihilation Tomograph // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2025. — Vol. 20. Issue 1. № 1.
• 2 Andreev E.V., Dolgopolov M.V., Chepurnov V.I. etc. SiC/Si-Based Converter of C-14 Beta Decay Energy // Physics of Particles and Nuclei Letters 2025. — Vol. 22. Issue 4. № 4. — P. 951-962

2023

• 1 Gurskaya A.V., Dolgopolov M.V., Chepurnov V.I. etc. Contacts for SiC Nano-Microwatt Energy Converters // Moscow University Physics Bulletin 2023. — Vol. 78. Issue 1. № 1. — P. 14-20
• 2 Gurskaya A.V., Dolgopolov M.V., Elisov M.V. etc. Radiation Defect Formation in a Silicon Carbide Betaconverter // Physics of Particles and Nuclei Letters 2023. — Vol. 20. Issue 5. № 5. — P. 1094-1097
• 3 Lebedev D.M., Nefedov S.A., Shishkina D.A. etc. Growth Features of 3C-SiC/Si Films Fabricated by HTCVD // Optical Memory and Neural Networks (Information Optics) 2023. — Vol. 32. — P. S102-S108

2022

• 1 Gurskaya A.V., Chepurnov V.I., Dolgopolov M.V. etc. Theoretical aspects of direct conversion of radio-chemical energy in electric by radiation-stimulated SiC*/Si heterostructure // OMFI-2021. — 2022. — Vol. 2155. Issue 1.
• 2 Chepurnov V.I., Dolgopolov M.V., Gurskaya A.V. etc. Radiation-doped SiC*/Si heterostructure formation and defects evolution // OMFI-2021. — 2022. — Vol. 2155. Issue 1.

2020

• 1 Alimov L.E., Anufriev A.V., Gurskaya A.V. etc. Silicon Carbide 3C-SiC phase band structures calculation in DFT // Journal of Physics: Conference Series. — 2020. — Vol. 1686. Issue 1.

2017

• 1 Pavlikov A.V., Latukhina N.V., Chepurnov V.I. etc. Structural and optical properties of silicon-carbide nanowires produced by the high-temperature carbonization of silicon nanostructures // Semiconductors 2017. — Vol. 51. Issue 3. — P. 402-406
• 2 Gurskaya A.V., Dolgopolov M.V., Chepurnov V.I. C-14 beta converter // Physics of Particles and Nuclei 2017. — Vol. 48. Issue 6. — P. 941-944
• 3 Lizunkova D., Latukhina N., Chepurnov V. etc. Nanocrystalline silicon and silicon carbide optical properties // CEUR Workshop Proceedings. — 2017. — Vol. 1900. — P. 84-89
• 4 Akimchenko A., Chepurnov V., Dolgopolov M. etc. Betavoltaic device in por-SiC/Si C-Nuclear Energy Converter // EPJ Web of Conferences. — 2017. — Vol. 158.

2016

• 1 Latukhina N.V., Rogozhin A.S., Saed S. etc. Photosensitive heterostructures based on porous nanocrystalline silicon // Russian Microelectronics 2016. — Vol. 45. Issue 8-9. — P. 613-618

ВАК

2023

• 1 Гурская А В. , Долгополов М.В., Раджапов С.А. и др. Контакты для SiC-преобразователей в диапазоне нано-микроватт // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия. — 2023. — № 1. — С. 1-6
• 2 Гурская А.В., Долгополов М.В., Елисов М.В. и др. Радиационное дефектообразование в бета-преобразователе на карбиде кремния // Письма в журнал Физика элементарных частиц и атомного ядра. — 2023. — Т. 20. № 5 (250). — С. 1238-1243
• 3 Шишкин И.А., Шишкина Д.А., Нефедов С.А. и др. Анализ структурного состава пленки карбида кремния, полученной методом высокотемпературного химического осаждения из газовой фазы // Физика твердого тела. — 2023. — Т. 65. № 12. — С. 2187-2190
• 4 Долгополов М.В., Елисов М.В., Раджапов С.А. и др. КПД активированных наногетеропереходов на подложках кремния и карбида кремния // Computational Nanotechnology. — 2023. — Т. 10. № 4. — С. 91-102

2021

• 1 Чепурнов В.И., Раджапов С.А., Долгополов М.В. и др. Задачи определения эффективности для микроструктур SiC*/Si и контактообразования // Computational nanotechnology. — 2021. — Т. 8. № 3. — С. 59-68

2019

• 1 Чепурнов В.И., Пузырная Г.В., Гурская А.В. и др. Экспериментальное исследование полупроводниковых структур источника питания на углероде-14 // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. — 2019. — Т. 22. № 3. — С. 55-67

2017

• 1 Гурская А.В., Долгополов М.В., Чепурнов В.И. 14C бета-преобразователь // Физика элементарных частиц и атомного ядра. — 2017. — Т. 48. № 6. — С. 901-909

2014

• 1 Чепурнов В.И. Ассоциаты точечных дефектов различной природы в SiC-фазе полупроводниковой гетероструктуры SiC/Si, полученной методом эндотаксии // Вестник Самарского государственного университета. Естественнонаучная серия. — 2014. — № № 7(118). — С. 145-162
• 2 Латухина Н.В., Рогожин А.С., Сайед С. и др. Фоточувствительные гетероструктуры на основе пористого нанокристаллического кремния // Известия вузов. Материалы электронной техники. — 2014. — № 4. — С. 284-289

Другие

2025

• 1 Савина Е.О., Чепурнов В.И. Исследование гетероструктур SiC/Si , легированных радиоуглеродом для применений в энергосберегающем газовом датчике энергопреобразователей // XXIII Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 45-летию СФ ФИАН. — 2025. — С. 187-188
• 2 Юрлова Д.Д., Чепурнов В.И. Исследование гетероструктур SiC/Si, легированных радиоуглеродом для энергопреобразователей // XXIII Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 45-летию СФ ФИАН. — 2025. — С. 203-204

2023

• 1 Долгополов М.В., Марипов И.И. , Отабоев С.К. и др. Обзор моделей идентификации и экстраполяции электрофизических характеристик солнечных элементов и микрогенераторов // International Scientific Conference "New Materials & Heliotechnologies". — 2023. — С. 117-119
• 2 Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich, Chepurnov V.I., Chipura A.S. etc. Scaling and activation of nanoheterojunctions on silicon and silicon carbide substrates // International Conference “Fundamental and Applied Problems of Modern Physics”. — 2023. — P. 88-92
• 3 Лебедев Д., Чепурнов В.И., Шишкин И.А. и др. Влияние структурных несовершенств пленок карбида кремния на электрофизические параметры // Международная конференция ФизикА.СПб/2023. — 2023. — С. 455-456
• 4 Лебедев Д.М., Шишкина Д.А., Шишкин И.А. и др. Особенности роста пленок 3С-SIC/SI, изготовленные методом HTCVD // IX Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2023). — 2023. — Т. 1.
• 5 Шишкин И.А., Шишкина Д.А., Нефедов С.А. и др. Анализ структурного состава пленки карбида кремния, полученной методом HTCVD // Международная конференция ФизикА.СПб/2023. — 2023. — С. 255-256

2022

• 1 Чепурнов В.И., Долгополов М.В., Гурская А.В. и др. NEAR-CONTACT ZONE MODELING FOR RADIATION-STIMULATED SiC/Si HETEROSTRUCTURE // International conference “Modern problems of nuclear energetics and nuclear technologies”. — 2022. — С. 128-130
• 2 Chepurnov V.I., Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich, Gurskaya A.V. etc. Contacts for self-scanning SiC energy converters in nano-microwatts range // LXXII International conference “NUCLEUS-2022: Fundamental problems and applications”. — 2022. — P. 292-293
• 3 Гурская А.В. , Долгополов М.В., Чепурнов В.И. и др. Радиационное дефектообразование в бета-преобразователе на карбиде кремния // Международная конференция "Современные проблемы теории конденсированных сред". — 2022. — С. 16

2021

• 1 Гурская А.В., Долгополов М.В., Чепурнов В.И. и др. Теоретические аспекты прямого преобразования энергии радиохимической в электрическую посредством радиационно-стимулированной гетероструктуры SiC*/Si // III International Scientific Forum "Nuclear Science and Technologies"dedicated to the 30th anniversary of Independence of the Republic of Kazakhstan. — 2021. — С. 137
• 2 Долгополов М.В., Гурская А.В., Чепурнов В.И. и др. Формирование и эволюция дефектов радиационно-легированной гетероструктуры SiC*/Si // III International Scientific Forum “Nuclear Science and Technologies” dedicated to the 30th anniversary of Independence of the Republic of Kazakhstan. — 2021. — С. 139-140
• 3 Колайкова О.И., Гурская А.В., Долгополов М.В. и др. Моделирование управляющих уравнений для технологии эндотаксии материала 3C-SiC/Si, прогнозирующих его свойства // Международная научная конференция “Новые материалы и гелиотехнологии”. — 2021. — С. 97-99
• 4 Анисимов Н.С., Гурская А.В., Долгополов М.В. и др. Теоретические аспекты прямого преобразования энергии радиохимической в электрическую посредством гетероструктуры SiC*/Si // Международная научная конференция “Новые материалы и гелиотехнологии”. — 2021. — С. 112-114
• 5 Петенко И.А., Чепурнов В.И., Раджапов С.А. и др. Задачи контактообразования и определения эффективности для микроструктур SiC*/Si // Международная научная конференция “Новые материалы и гелиотехнологии”. — 2021. — С. 197-202
• 6 Анисимов Н.С., Петенко И.А., Чепурнов В.И. Теоретические и прикладные аспекты прямого преобразования радиоизотопной энергии в постоянный ток полупроводниковой структурой SiC/Si // Международная молодежная научная конференция "XVI Королевские чтения", посвященная 60-летию полета в космос Ю.А. Гагарина. — 2021. — Т. 1. — С. 353-354
• 7 Latukhina Natalya Vilenovna, Pavelev V.S., Chepurnov V.I. etc. Problems and prospects of micro- and nanocrystalline silicon // IХ International Scientific Conference "Actual Problems of Solid State Physics". — 2021. — Vol. 2. — P. 132-135

2020

• 1 Алимов Л.Э., Ануфриев А.В., Гурская А.В. и др. Моделирование зонной структуры карбидокремниевой фазы 3C-SiC в различных реализациях DFT // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020». — 2020. — Ч. 1. — С. 160-161
• 2 Раденко В.В., Чепурнов В.И., Гурская А.В. и др. Магнитооптодинамическая камера синтеза // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020». — 2020. — Ч. 2. — С. 312-313
• 3 Муминов Р.А., Раджапов С.А., Раджапов Б.С. и др. Кремниевые детекторы заряженных частиц с небольшими утечками, измерение бета-спектров преобразователей // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020». — 2020. — Ч. 1. — С. 250-251
• 4 Анисимов Н.С., Чепурнов В.И., Пузырная Г.В. и др. Барьер Шоттки в технологии получения полупроводниковых бета-преобразователей // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020». — 2020. — Ч. 1. — С. 166-167
• 5 Чепурнов В.И., Пузырная Г.В., Елхимов Д.А. и др. Анализ эффективности преобразования энергии бета-распада в полупроводниковой гетероструктуре SiC/Si // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020» . — 2020. — Ч. 1. — С. 311-312
• 6 Чепурнов В.И., Гурская А.В., Кузнецов О.В. и др. Оптимизация бета-преобразователя C-14 c использованием метода Монте-Карло и GEANT4 // VI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии - ЛаПлаз-2020» . — 2020. — Ч. 1. — С. 309-310
• 7 Полуэктова Н.А., Латухина Н.В., Чепурнов В.И. и др. Оптическая диагностика карбидизированных кремниевых нанонитей. // XIII Международная конференция «Кремний – 2020». — 2020. — С. 82-85

2019

• 1 Kuznecova A.A., Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich, Gurskaya A.V. etc. Micro alloying of SiC by radioisotope // EPJ Web of Conferences 2019. — Vol. 222.
• 2 Chepurnov V.I., Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich, Kuznecov O.V. etc. Optimization of the Beta Converter // XI Всероссийская научная конференция с международным участием «Математическое моделирование и краевые задачи». — 2019. — Vol. 1. — P. 368-371
• 3 Чепурнов В.И., Долгополов М.В., Пузырная Г.В. и др. Influence factors on energy conversion in low power supplies: technology + mathematics + medicine // STEMM: Science – Technology – Education – Mathematics – Medicine. The Joint International Conference. — 2019. — С. 34-35
• 4 Chepurnov V.I., Puzyrnaya G.V., Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich etc. Low power supply for LCDS and influence factors on energy conversion // The Ninth International Conference “Modern Problems of Nuclear Physics and Nuclear Technologies”. — 2019. — P. 214-215
• 5 Chepurnov V.I., Dolgopolov Mikhail Vyacheslavovich, Gurskaya A.V. etc. Optimisation of beta-converter using Monte-Carlo method // The Ninth International Conference “Modern Problems of Nuclear Physics and Nuclear Technologies”. — 2019. — P. 215-216
• 6 Анисимов Н.С., Долгополов М.В., Кузнецова А.А. и др. Исследование решений уравнений твердофазной диффузии с бета-источником // XI Всероссийская научная конференция с международным участием «Математическое моделирование и краевые задачи». — 2019. — Т. 1. — С. 208-212
• 7 Kuznecov O.V., Chepurnov V.I., Gurskaya A.V. etc. C-beta energy converter efficiency modeling // The XXIV International Workshop “High Energy Physics and Quantum Field Theory” (QFTHEP 2019). — 2019. — Vol. 222.

2018

• 1 Латухина Н.В., Лизункова Д.А., Рогожина Г.А. и др. Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники // Фотоника. — 2018. — № 5. — С. 508-513

2017

• 1 Чепурнов В.И., Гурская А.В., Долгополов М.В. и др. Потенциал коммерциализации CVD-технологии формирования гетероструктур карбида кремния для энергопреобразователей бета-излучения C-14 // Кузнецовские чтения - 2017. Четвертый семинар по проблемам химического осаждения из газовой фазы.. — 2017. — С. 62-62
• 2 V.I.Chepurnov, M.V.Dolgopolov, A.V.Gurskaya etc. C-BETAVOLTAIC ENERGYCONVERTER IN POR-SIC/SI // MATERIALS SCIENCE. NON-EQUILIBRIUM PHASE TRANSFORMATIONS 2017. — Issue 3. — P. 119-120
• 3 V.I.Chepurnov, M.V.Dolgopolov, A.V.Gurskaya etc. C-14 BETAVOLTAIC ENERGY CONVERTER IN POR-SIC/SI // III INTERNATIONAL SCIENTFIC CONFERENCE МАТЕRIAL SCIENCE „NONEQUILIBRIUM PHASE TRANSFORMATIONS”. — 2017. — Vol. YEAR I. Issue 1. № September. Pt. 1. — P. 116-117
• 4 Латухина Н.В., Лизункова Д.А., Чепурнов В.И. и др. Оптические свойства нанокристаллического кремния и карбида кремния // III Международная конференция и молодежная школа "Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2017) . — 2017. — С. 256-258
• 5 Dolgopolov M.V., Alina Akimchenko, Chepurnov V.I. etc. Mathematical modeling of charges generation rate in the SiC* semiconductor // Республиканская научная конференция с участием зарубежных ученых «Актуальные проблемы дифференциальных уравнений и их приложения». — 2017. — Issue 2017. — P. 227-228

2016

• 1 Гурская А.В., Чепурнов В.И., Долгополов М.В. Энергопреобразователи бета-распада С-14 // 22 Всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых ученых. — 2016. — С. 183-183
• 2 Гурская А.В., Чепурнов В.И., Долгополов М.В. и др. БЕТА-ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НА C-14 В СТРУКТУРЕ por-SiC/Si // V международная научная конференция "Наноструктурные материалы - 2016": Беларусь - Россия - Украина (НАНО-2016). — 2016. — С. 395-397
• 3 Чепурнов В.И., Гурская А.В., Долгополов М.В. и др. Перспективы пористой структуры POR-SIC/SI для бетавольтаики // Международная научная конференция "Актуальные проблемы физики твердого тела (ФТТ-2016)". — 2016. — Т. 1. — С. 241-243
• 4 Чепурнов В.И., Заводов С.П., Кирпичев А.А. Разработка бетавольтаического источника питания на основе энергопреобразователя бета-распада 14С с ресурсом 100 лет для МЭМС // Международная молодежная научнаяшкола-конференция: "Современные проблемы физики и технологий". — 2016. — С. 189-191
• 5 Латухина Н.В., Чепурнов В.И., Лизункова Д.А. и др. Многослойные структуры на базе пористого кремния для практических приложений: энергетика, электроника, медицина // Международная научная конференция « Актуальные проблемы физики твердого тела» (ФТТ – 2016). — 2016. — С. 80-82
• 6 Чепурнов В.И., Долгополов М.В., Гурская А.В. и др. О возможности использования автономных источников питания для микродатчиков в капитальных сооружениях // Нефть. Газ. Новации. — 2016. — № 12. — С. 80-82
• 7 Чепурнов В.И., Долгополов М.В., Гурская А. В. и др. О возможности использования автономных источников питания для микродатчиков в капитальных сооружениях // Международная научно-практическая конференция "Интеллектуальное месторождение: инновационные технологии от скважины до магистральной трубы – 2016". — 2016. — С. 89-91

2015

• 1 Долгополов М.В., Чепурнов В.И., Гурская А.В. и др. Гетероструктура por-SiC/Si для прикладных целей // Международная конференция \"Электроника - 2015\". — 2015. — С. 13-13
• 2 Латухина Н.В., Чепурнов В.И. Эндо- и эпитаксия proSiC/Si в технологии сверхярких светоизлучающих приборов. // XII Всероссийская НТК с международным участием \"Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, электротехники и энергетики\". — 2015. — С. 278-281

2014

• 1 Чепурнов В.И. Концентрация точечных дефектов в Si-фазе, сопряженной с SiC-фазой, сформированной методом эндотаксии полупроводниковых гетероструктур // Вестник Мордовского университета. — 2014. — № № 1-2. — С. 28-42